삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

삼성전자가 업계 최초로 HBM3E 12H D램을 개발 하였다고 공식 발표했습니다.

해당 칩은 TSV 기술로 12단 적층을 적용하여 업계 최대 용량인 36GB를 구현하였습니다.

초당 1280GB의 대역폭을 제공 바로 전 세대인 HBM3 8H(8단)대비 50% 이상 개선되었습니다.

해당 칩에는 Advanced TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술이 적용되어

8H 제품과 동일 높이로 HBM 규격을 만족 시켰습니다.

해당 기술을 사용하면 칩 두께를 얇게 하면서 휘어짐 형상을 최소화 할수 있습니다.

두께 또한 낮추면서 칩간 간격을 업계 최소 간격인 7 마이크로 미터를 구현했습니다.

해당 제품은 이미 일부 고객사들에게 전달 되었으며 올 상반기 양산 예정입니다