시장점유율 유지 위해 HBM 생산능력 확대, SK하이닉스 우시공장 업그레이드 소문

    메모리 시장 회복과 AI 칩 기반 고대역폭 메모리(HBM) 수요 증가에 대응해 SK하이닉스가 우시 공장의 D램 생산 장비 일부를 4세대로 업그레이드할 계획인 것으로 알려졌다. 올해 10나노 공정 양산

    서울경제 에 따르면 우시공장은 SK하이닉스 전체 D램 생산량의 약 40%를 차지하는 핵심 생산기지다. 현재 우시 공장에서는 10나노 후반대 구형 제품에 해당하는 2세대, 3세대 D램을 생산하고 있다.

    반도체 시장이 회복 국면에 접어들면서 SK하이닉스의 고성능 칩 생산능력 확충이 시급해졌다. 고대역폭메모리(HBM) 시장 점유율을 유지하려면 SK하이닉스가 4세대 10나노급 D램 이상 등 첨단 제품이 필요하다.

    이전 TrendForce 보도 자료에 따르면 SK 하이닉스의 HBM3 제품은 경쟁 포지셔닝 측면에서 다른 제조업체를 선도하고 있으며 NVIDIA 서버 GPU의 주요 공급업체 역할을 하고 있습니다. 반면 삼성은 다른 클라우드 서비스 제공업체의 주문을 충족하는 데 중점을 두고 있다.

    올 상반기 양산에 들어간 SK하이닉스의 5세대 HBM 신제품(HBM3E)은 최대 36GB의 용량을 자랑한다. 이는 24Gb DRAM을 12겹으로 쌓아서 구현됩니다. SK하이닉스는 2021년 24Gb D램 생산을 위해 4세대 D램 공정을 처음 채택했다. HBM3E는 고객 요구사항을 충족하기 위해 4세대 이상의 D램 제조 버전을 사용해야 한다.

    현재 우시 공장에서는 HBM3에 사용되는 3세대 D램을 주로 생산하고 있지만, SK하이닉스는 엔비디아 등 핵심 고객사들의 HBM3E 주문이 늘어나는 상황에 맞춰 이천 본사의 생산 능력 외에 우시 D램 공정을 전환하는 방안도 모색해야 한다.

    SK하이닉스는 4세대 10나노 D램 생산부터 극자외선(EUV) 노광 기술을 사용해 왔다. 하지만 우시에 EUV 노광 장비를 도입하지 못해 이번 DRAM 생산이 어려워지고 있다. 특히 미국의 중국 EUV 노광 장비 수출 제한으로 인해 우시 공장을 4세대 10나노 DRAM 이상으로 전환하는 것은 상당한 과제가 될 것이다.

    보도에 따르면 SK하이닉스는 우시 생산라인에서 4세대 D램 공정 일부를 완성한 뒤 EUV 적용을 위해 칩을 이천 공장으로 운반하고 최종적으로 우시로 돌려보내 전체 공정을 완료할 계획이다. SK하이닉스는 2013년 우시공장 화재 당시 비슷한 접근방식을 사용해 D램 생산 차질을 극복한 경험이 있다.

    SK하이닉스는 우시공장 업그레이드 루머에 대해 구체적인 공장 운영 계획을 확인할 수 없다고 입장을 밝혔다.